Los materiales bidimensionales y sus heteroestructuras de Van der Waals han demostrado un enorme potencial para el avance de innovaciones tecnológicas en electrónica, optoelectrónica, catálisis y el almacenamiento de energía. Los métodos de síntesis de estas hereoestructuras juegan un papel preponderante en su aplicación final. En este sentido, el deposito químico de vapor a presión atmosférica (APCVD) ha sido ampliamente utilizado para sintetizar monocapas de MoS₂ con propiedades optoelectrónicas ajustables. Sin embargo, las temperaturas de crecimiento de estos materiales pueden superar los 700°C, lo cual es incompatible con los procesos estándar de microfabricación tipo semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS). Una de las alternativas a este problema es “transferir” estos materiales 2D después de su crecimiento, colocándolos en sustratos que sean compatibles con estos procesos, sin comprometer la calidad cristalina y la uniformidad del material bidimensional.
Actualmente los métodos de transferencia son limitados y presentan inconvenientes, tales como la introducción de defectos en la estructura del material o contaminación de la superficie, además, los métodos son complejos y en algunos casos es necesario el uso de equipos sofisticados. Para resolver estos inconvenientes, y minimizar residuos y daños estructurales generados durante el proceso, se ha reportado el uso de polímeros, como el acetato de celulosa o PDMS, como elementos de soporte de los cristales durante su transferencia.
Por otro lado, los disolventes eutecticos profundos (DES) inmovilizados en geles no acuosos, llamados eutectogeles, han emergido como una alternativa sustentable a los materiales flexibles con propiedades de mecánicas, térmicas y de adhesion sintonizables. Para abordar la transferencia limpia de cristales de MoS₂, en este estudio se propone el uso eutectogeles obtenidos de DES formados por monómeros (DESm) para realizar las transferencia de cristales 2D. Mediante la fotopolimerización del DESm in situ sobre los cristales de MoS₂, estos son transferidos a sustratos destino.
Los resultados obtenidos mediante espectroscopía Raman y de fotoluminiscencia muestran que es posible transferir cristales de MoS₂ sin daños estructurales o impurezas introducidas durante el proceso de transferencia.
Los autores expresan su gratitud a LaNCaM por su valioso apoyo en el análisis de materiales. Un agradecimiento especial a Manuel Aguilar Franco por proporcionar las micrografías SEM, al Dr. Andrés de Luna Bugallo y al Dr. Mario Flores Salazar por los espectros RAMAN, y al Dr. Francisco Javier Flores Ruíz por las imágenes AFM. Este trabajo fue apoyado financieramente por los proyectos IN115624 y TA101023 del PAPIIT UNAM, así como por el proyecto CF-2023/1339 deCONAHCyT.